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三星和SK海力士這兩個全球最大的存儲器廠商在8月份的加州圣克拉拉快閃存儲器峰會上發(fā)布了他們的3D NAND創(chuàng)新成果。
三星表示該公司名為V-NAND的3D快閃存儲器產品已經在第二季度開始商用化生產。其終端產品將會是480千兆字節(jié)以及960千兆字節(jié)的V-NAND固態(tài)硬盤，初期目標是企業(yè)市場。V-NAND將比1 x納米NAND更可靠、功耗更低，并且順序寫入和隨機寫入的性能更高。
IHS預計基于V-NAND的固態(tài)硬盤和基于傳統(tǒng)快閃存儲器的固態(tài)硬盤的價格將會有較大差距，這也就是三星將該產品的目標市場首先定位為企業(yè)市場的原因。
三星的最大競爭對手SK海力士也在計劃生產3D NAND，其初期的3D產品將類似于三星的V-NAND，容量達到128千兆字節(jié)。不過這只是SK海力士雙向策略中的一部分，該公司同時還在開發(fā)16納米產品。
隨著三星和海力士SK已經開始3D NAND開發(fā)，投入生產的時間比預期更快，且進展速度也大大快于業(yè)界期望。
盡管如此，其他存儲器廠商仍然決定至少再生產一代平面NAND，將3D計劃日程推后。這些廠商包括SanDisk、美光和日本東芝。
不過，初期3D NAND生產將是有限的，并且由于產品多層結構的原因，故障分析比較困難。IHS認為，高性能產品在企業(yè)應用中的初期增長將有助于廠商獲利以及工藝成熟。盡管如此，3D技術要對整個行業(yè)增長做出顯著貢獻還有待時日。
無論如何，NAND的3D競賽已經打響，尚未對這一技術變革做出響應的NAND廠商將會感受到壓力。
